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IXTA3N50D2
IXTP3N50D2
10,000
Fig. 13. Capacitance
5
Fig. 14. Gate Charge
f = 1 MHz
4
V DS = 250V
I D = 1.5A
1,000
Ciss
3
2
I G = 10mA
1
0
100
Coss
-1
-2
-3
10
Crss
-4
-5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
30
35
40
100.0
V DS - Volts
Fig. 15. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 25oC
R DS(on) Limit
100.0
Q G - NanoCoulombs
Fig. 16. Forward-Bias Safe Operating Area
@ T C = 75oC
R DS(on) Limit
10.0
25μs
100μs
10.0
25μs
100μs
1.0
1ms
1.0
1ms
10.00
0.1
10
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
100
10ms
100ms
DC
Fig. 17. Maximum Transient
0.1
1,000
T J = 150oC
T C = 75oC
Single Pulse
Thermal Impedance
10
100
DC
10ms
100ms
1,000
2.00
1.00
0.10
0.01
V DS - Volts
Fig. 17. Maximum Transient Thermal Impedance
V DS - Volts
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: T_3N50D2(3C)8-17-09-A
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